集成技术

近期，美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校（UIUC）团队开发了一种新型单片3D硅芯片集成技术，通过类似辊式转印工艺，在200°C（摄氏度）以下的热预算条件下，使用厚度在10nm（纳米）以下的超薄硅纳米膜，将高性能的硅基晶体管一层层叠上去。