晶界势垒

富Bi相的演变可能改变晶界附近的氧输运与缺陷状态，进一步调控晶界势垒的演变与稳定。

控制变量法和淬火法也无法连续、实时监测晶界势垒演变，且实验成本较高。

本研究采用原位高温介电谱，以直流电导表观活化能Ea表征晶界势垒演变。

研究建立了以表观活化能Ea为关键参数的晶界势垒原位表征方法，阐明了介电响应、元素偏聚、物相转变与晶界势垒演变之间的关联，为ZnO压敏陶瓷烧结机制研究和电学性能精准调控提供了新的实验依据。

采用原位高温介电谱连续追踪ZnO压敏陶瓷烧结过程，并以直流电导表观活化能Ea表征晶界势垒演变。

随后，Ea在600-500℃范围内出现峰值并稳定在约1.2eV，与富Bi相由β-Bi2O3向α-Bi2O3转变的过程相对应，说明富Bi相转变可能进一步调控已形成晶界势垒的演变。

西安交通大学王佳乐/程卓林/武康宁等：原位介电谱追踪ZnO压敏陶瓷烧结过程中晶界势垒的形成-清华大学出版社学术期刊的博文西安交通大学王佳乐/程卓林/武康宁等：原位介电谱追踪ZnO压敏陶瓷烧结过程中晶界势垒的形成精选

针对上述问题，本研究采用原位高温介电谱连续监测整个烧结过程中的介电响应，阐明降温过程中电导机制由类Drude自由载流子输运向晶界势垒控制的转变，并结合电学响应、微观结构和物相演变，揭示ZnO压敏陶瓷烧结过程中晶界势垒的形成机制及其与微观结构和富Bi相演变之间的关系。

降至500℃时，载流子输运逐渐转变为晶界势垒控制。

样品平均晶粒尺寸由保温阶段的3.34μm增至烧结结束时的5.08μm，表明ZnO压敏陶瓷的微观结构致密化主要在晶界势垒形成前完成。

结合SEM-EDS与原位XRD分析，建立了晶界势垒形成与微观结构演变之间的关联，揭示了致密化、晶粒生长与晶界势垒形成在时间上的分离，并阐明了富Bi相沿“液相→β+δ→β→α+β→α”路径结晶及其对晶界元素偏析和势垒后续演变的调控作用。