N2
描述
技术层面，N2是台积电首款采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的技术。
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资料显示，N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的技术。
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效果
其性能增强版N2P则在相同频率和晶体管数量下，功耗再降低5%～10%。
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相较N3E工艺，N2在同等功耗下性能提升10%～15%，同等性能下功耗降低25%～30%，晶体管密度提升15%。
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N2P作为N2的性能增强版，在相同频率和晶体管数量下，功耗可再降低5%至10%，两代工艺均面向智能手机与高性能计算应用。
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相比N3E工艺，N2在相同功耗下性能提升10%至15%，相同性能下功耗降低25%至30%，晶体管密度增加15%。
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其它
技术层面，N2是台积电首款采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的技术。
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资料显示，N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的技术。
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