H75-DMA

图6a为活性层搭配不同ETL薄膜的拉伸应力–应变曲线，H75-DMA薄膜的裂纹起始应变超过21%，韧性达到6.72MJm⁻³。

384h后，H75-DMA器件仍保有约80%的初始效率。

图3b、c分别记录AM1.5G标准光照下不同ETL器件的J-V曲线与EQE光谱，H75-DMA器件表现出更高的开路电压、短路电流、填充因子与积分光电流。

图3f展示器件在55°C、40%–60%RH空气中持续1sun光照老化时J-V曲线的变化，H75-DMA器件各项光电参数的衰减幅度较小，表明其兼具较高光电效率与空气存储稳定性。

图5围绕激子解离、界面陷阱、载流子寿命三大维度解析稳定性差异，图5a为不同ETL器件新鲜、老化后的光生电流-有效电压曲线，H75-DMA器件激子解离与电荷收集效率几乎不受空气老化影响。

PDIN、PDIN-NAP、H75-DMA分子结构、界面能级与薄膜形貌。

搭载H75-DMA的铜阴极器件效率达到18.65%，接近银基器件，显示出H75-DMA兼顾柔性、透光与降低阴极材料成本的潜力。

基于该体系设计的H75-DMA能够抑制活性氧引发的分子化学变化与界面陷阱积累，稳定界面能级排布并保障电子高效传输。