H7

H7是高速芯片，面向开关频率较高的光伏、充电桩等应用，Vcesat1.7V；

IGBT做开关时，CH7的损耗是全面下降的。

1200VH7的开关损耗较低，H3的Eoff对比CH7增加了50%，CS6则增加了86%。

650VH7的开通损耗Eon较小，S5的Eon对比H7增加了54%，H5的Eon则增加了77%，H7的Eoff值在S5和H5之间。

H3的Eon对比CH7增加了23%，CS6则增加了10%。

1200VH7的反并联二极管的Qrr也较低，CH3的反并联二极管的Qrr比CH7高118%，CS6则高了96%，使用H7可以降低反向恢复损耗Erec和开通损耗Eon。

如之前描述的，由于CH7的反并联二极管优化方向是减少反向恢复损耗，导致二极管的Vf值对比CH3的反并联二极管的Vf值更大，所以CH7做二极管时，导通损耗会增加，反向恢复损耗会降低。

结温的上升，主要是因为CH7的反并联二极管优化了反向恢复损耗，导致Vf值相比CH3的反并联二极管的Vf值要大一些，反映在二极管的导通损耗增加。

1200VH7对比之前的1200VIGBTH3和S6，最多可降低大约50%的开关损耗和20%的饱和压降。

1200VH7的反并联二极管的Qrr也较低，CH3的反并联二极管的Qrr比CH7高118%，CS6则高了96%，使用H7可以降低反向恢复损耗Erec和开通损耗Eon。

1200VH7的饱和压降非常低，CH3的Vcesat比CH7高25%，CS6则高12%，使用H7可以带来导通损耗的大幅降低。

1200VH7系列产品对比之前的1200VH3和S6却有着根本性的性能提升，原因在于H3和S6采用传统的场截止+沟槽栅技术，而1200VH7系列采用了微沟槽元胞技术，侧重降低开关损耗，应用于高开关频率的光储应用，在性能取舍上牺牲了短路能力。

4Pin封装的IKZA50N120CH7对比同样芯片的3Pin封装IKQ50N120CH7，在4kW的全桥逆变器中，损耗降低了30%，壳温降低了19%，在保持同样壳温的条件下，可以增加17%的输出电流。

650VH7饱和压降相对于H5最多可降低25%，可以大幅降低导通损耗，H7的Qrr相对于ES5/EH5也有6.7%~8.9%的降幅，可以降低反向恢复损耗Erec和开通损耗Eon。

使用H7可以降低开关损耗。

如之前描述的，由于CH7的反并联二极管优化方向是减少反向恢复损耗，导致二极管的Vf值对比CH3的反并联二极管的Vf值更大，所以CH7做二极管时，导通损耗会增加，反向恢复损耗会降低。

1200VH7的开关损耗较低，H3的Eoff对比CH7增加了50%，CS6则增加了86%。

650VH7的开通损耗Eon较小，S5的Eon对比H7增加了54%，H5的Eon则增加了77%，H7的Eoff值在S5和H5之间。

H3的Eon对比CH7增加了23%，CS6则增加了10%。