长鑫

长鑫是中国最大DRAM制造商，该公司目前寻求扩大其全球DRAM的市占率，该市场主要由三星电子、SK海力士与美光主导。

事实上，中国长鑫的价格与三星电子、SK海力士相近，他们（苹果）的目标是中国市场“。

再者，中国长鑫与长江存储，在政府的大力补贴下，低价量产手机与笔电所需的通用内存。

一些分析师认为，苹果意图采购中国存储器，以降低成本，然而症结在于，美国五角大楼将长鑫列入中国军工企业黑名单，尽管苹果向长鑫采购（DDR5）并非违法，但需要取得川普政府批准。

据透露，长鑫自研的VSG晶体管通过垂直包围沟道结构实现更强的栅控能力，解决了漏电与短沟道效应的痛点。

报道指出，苹果有意使用长鑫存储器的原因在于，AI热潮使全球3大内存公司，集中产能生产AI所需的高带宽记忆体（HBM），导致传统DRAM与NAND闪存的供应短缺，价格飙涨。

据悉，研发过程中，长鑫存储对多项核心工艺流程展开了深度技术探索与突破，全面优化涵盖字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺，以实现最优的性能与功耗比。

该公司总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上发表演讲，全面介绍了长鑫存储在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底将推出融合了上述先进技术的新一代DDR5RDIMM产品。

长鑫技术新突破，融合4F²架构等先进技术的DDR5RDIMM产品预计年底亮相2026年10月10日19:25IT之家IT之家10月10日消息，长鑫存储4F²DRAM架构研发近期取得关键进展。

从更宏观的视角看，长鑫4F²架构的落地将带动国产存储产业链的协同升级。

在此次大会上，曹堪宇深入剖析了这一工艺挑战，并指出了长鑫4F²

他表示，长鑫的4F²

快科技10月10日消息， 在10月9日至10日‌举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布

快科技10月10日消息， 在10月9日至10日‌举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品

在10月9日至10日‌举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布

在10月9日至10日‌举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品

长鑫生产的内存预计依然会主要供应LPDDR5/6及DDR5等通用内存，HBM内存上还有差距，但2年后产能翻倍也一定会对全球格局产生重要影响