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政要
肖特基
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整流器
与传统
肖特基
整流器不同,Diodes专利的SBRFP技术采用金属氧化物半导体(MOS)制造工艺,突破了
肖特基
与PN结二极管的固有性能限制。
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此雪崩能力是传统
肖特基
整流器的五到十倍,提升了系统整体的稳健性与可靠性。
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相比传统
肖特基
整流器,该系列新器件还具备显著增强的雪崩能力。
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