电子倒逆散射
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电子倒逆散射
在以上杂质散射辅助的电子倒逆散射机理下，作者采用玻尔兹曼输运方程数值计算了从欠掺杂区域到过掺杂区域的低温电阻，获得的结果（见图2）说明在过掺杂奇异金属态，当温度高于Tscale时，电阻呈现线性温度依赖行为，然而在欠掺杂赝能隙态，当温度低于Tscale时，反节点自旋赝能隙的存在压制了反节点周围低能自旋激发的态密度，从而减弱了反节点周围杂质散射辅助的电子倒逆散射的散射强度，因此导致了欠掺杂赝能隙态中的低温电阻呈现二次方温度的依赖行为。
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