江风益

追光三十余载点亮“中国芯”——记南昌大学江风益团队2026年07月19日08:52南昌发布MD转自：南昌发布

“V缺陷三维PN结及应用”项目斩获国家自然科学奖一等奖，是江风益团队在知识创新与技术创新方面交出的一份答卷，而这份答卷积累时间之久，还要从40多年前说起。

2008年，江风益团队在实验中观测到大“V缺陷”有益作用，但知其然不知其所以然。

经过2004年和2005年的努力，江风益团队在国际上率先突破高效硅基氮化镓蓝光LED材料与芯片技术，打通半导体照明芯片技术第三条路线，走出一条自主创新之路。

全知觉告诉记者，他博士毕业后进入江风益团队，求学期间侧重攻读理论，动手能力较为欠缺，江风益院士手把手地教他怎么调工艺、长材料。

江风益团队依靠自主科技创新，将黄光LED在工作电流密度下的电光转换功率效率（简称光效）提升到超过30%，而小电流密度下峰值光效高达70%以上。

江风益团队继突破高效硅基氮化镓蓝光LED之后，又突破其高效绿光、黄光、红光LED材料及芯片技术，开拓了纯芯片照明技术路线（无荧光粉），产品批量应用于路桥照明、氛围照明、特种显示等场景。

经过多年研究，江风益的团队提出“V缺陷三维PN结理论方法”，使PN结界面由二维发展到三维。

23年前，江风益团队在共识路线上取得进展后，决定不跟踪，向技术原始创新进军，选择了非共识路线——硅基氮化镓半导体发光。

2008年，江风益团队在实验中观测到大“V缺陷”有益作用，但知其然不知其所以然。