开关损耗

1200VH7系列产品对比之前的1200VH3和S6却有着根本性的性能提升，原因在于H3和S6采用传统的场截止+沟槽栅技术，而1200VH7系列采用了微沟槽元胞技术，侧重降低开关损耗，应用于高开关频率的光储应用，在性能取舍上牺牲了短路能力。

使用H7可以降低开关损耗。

1200VH7的开关损耗较低，H3的Eoff对比CH7增加了50%，CS6则增加了86%。