导通电阻

尽管已有研究探讨非对称半超结的导通电阻-耐压权衡关系，但未系统揭示碰撞电离各向异性的作用。

这些正面效应叠加，抵消了N型柱掺杂降低带来的电阻上升，最终实现非对称结构导通电阻的整体优化。

N型柱加宽增大了载流子导通截面积，提升导电性、降低导通电阻；

加宽N型柱、缩窄P型柱，可在不损失耐压的前提下降低导通电阻，最大降幅较对称最优值达16%，当N型柱占比为0.9（P型柱极窄）时增益最大。

在可再生能源变流器、电动汽车逆变器等中压系统中，导通电阻的小幅降低就能带来系统级的效率提升。

该分析拓展至多个电压等级后显示：所有电压等级的非对称结构，导通电阻均较传统优化对称半超结显著改善，最优增益均出现在N型柱占比0.9时，其中2.2kV器件提升最显著，导通电阻降低19%。

该掺杂调整还能提高电子迁移率，进一步降低导通电阻。

非对称碳化硅半超结器件可在保持与对称设计相当的高击穿电压的同时，显著降低导通电阻。

尽管已有研究探讨非对称半超结的导通电阻-耐压权衡关系，但未系统揭示碰撞电离各向异性的作用。