双面散热

瑞萨率先推出业界首款采用8mm×8mm双面散热封装的650VGaN器件，面向兆瓦级AI数据中心2026年09月30日10:53电子产品世界·与TOLT封装相比，双面散热（DSC）设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度

2026年9月30日，中国北京讯-全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650VGaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。

2026年9月30日，中国北京讯-全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布率先在业界推出采用双面散热技术的650VGaN器件，面向800V高压直流（HVDC）AI数据中心架构中的高功率密度电能转换。