光刻

光刻是制备微/纳米结构的核心技术，为现代集成电路和微机电系统的发展奠定了基础。

为了克服传统光刻工艺的固有局限，港科大王蕴达团队提出了一种创新的图案转移方法：利用一种粘附特性可逆切换的相变聚合物，将多种图案化的商用光刻胶精准转移至先前不兼容的各类基底上，实现了非常规表面的高分辨图案化。

光刻胶是通过标准光刻工艺图形化的，并成功地转移到了与光刻技术不兼容的一系列基底上，包括柔性薄膜、溶剂敏感层、弯曲和微纹理表面以及脆弱材料等。

该策略有效突破了传统光刻工艺对敏感材料的兼容性限制。

这些材料在常规光刻工艺的旋涂、烘烤或显影步骤中极易发生溶胀、损坏或脱层。

然而，由于光刻胶/衬底的形变以及间隙引起的光衍射效应会显著降低图形保真度，传统光刻技术长期局限于平坦且刚性的衬底。

释放过程中，重新加热至橡胶态的印章与光刻胶界面粘附显著降低，在低剥离速度下实现光刻胶释放。

光刻是制备微/纳米结构的核心技术，为现代集成电路和微机电系统的发展奠定了基础。