“归壹”

如今，复旦大学青年研究员刘春森、教授周鹏团队利用二维材料原子级厚度的天然“囚禁”优势，提出自对准平面裁剪方案，构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温下清晰观测到单电子的非易失性存储行为。

二维共平面漏极-沟道-源极“归壹”结构。

深度参与“破晓”和“归壹”的向昱桐也计划加入公司，把自己在实验室做出的器件送进产业链。

“一电子、一比特”，单电子存储器来了2026年08月11日02:50中国科学报与硅工艺兼容的“归壹”单电子存储器件。

与硅工艺兼容的“归壹”单电子存储器件。