“以钼代钨”

近两年，全球存储芯片行业正经历一场材料革命：三星在286层3DNAND上率先完成钨到钼的切换，SK海力士在375层节点上紧密跟进——半导体存储芯片巨头的“以钼代钨”，是指在半导体制造，特别是3DNAND闪存工艺中，利用金属钼替代传统金属钨作为字线互连材料的技术变革。