长鑫科技凭一己之力打崩三星、海力士、美光股价？
长鑫科技凭一己之力 打崩三星、海力士、美光股价？
2026年10月13日 22:2
这轮AI硬件，尤其是全球 存储芯片 的股价暴跌，外围市场也在找原因，他们觉得，是 长鑫科技 的新技术引起的。
一起看看怎么回事。
10月13日，亚洲交易时间，三星 电子 、 SK海力士 股价暴跌。
到了晚上美股交易时间， 存储芯片 板块继续暴跌。
为何全球 存储芯片 板块暴跌？海外市场认为，是 长鑫科技 的新技术引发的抛售催化。
消息面上，第四届集成芯片和芯粒大会于10月9日至10日在上海举行， 长鑫科技 总裁曹堪宇在大会上发表演讲，全面介绍长鑫科技在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并官宣预计年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
长鑫科技表示，公司在新架构研发方面取得了突破，该架构能够通过在更小空间内存储更多数据，提高存储芯片的密度。
该新设计采用“4F平方”（4F²）技术，可以提高存储密度。 SK海力士 也正在推进类似技术，并曾在2025年公布相关研发路线图。
分析人士普遍认为，在最先进存储技术领域，长鑫目前仍落后于全球领先企业。但任何关于其技术突破的消息，都可能显著影响投资者对于全球存储巨头竞争优势的判断。
分析师表示，如果长鑫真的实现了4F²技术突破，意味着它将在三星和 SK海力士 之前达到这一技术门槛。
晨星 分析师表示：“如果长鑫能够成功并提前将4F²架构应用于DRAM生产，将大幅提升其相对于竞争对手的竞争地位。不过，存储 行业龙头 以及 半导体 设备制造商此前都强调过这一技术转型的难度。因此，我们仍预计，从长鑫发布4F²产品到实现具有商业价值的良率量产之间，会存在较长时间差。”
根据汇丰 银行 此前发布的一份报告，长鑫在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的份额已经提升至约10%，而一年前约为4%。
花旗分析师在8月的一份报告中表示：“如果这些产品进入欧洲等其他地区的 数据中心 市场，仍可能间接影响美光。”
今年7月，《金融时报》援引知情人士报道称， 苹果 已经开始测试长鑫生产的DRAM芯片，用于在中国销售的设备，并正在游说美国政府允许更广泛地使用该公司的产品。
不过，分析人士指出，长鑫此次突破暂时不会对三星、SK海力士和美光在 高带宽内存 （HBM）领域的主导地位构成直接威胁。但这一事件显示，长鑫正在存储产业更广泛的技术领域逐步追赶全球领先企业。
Counterpoint Research高级分析师崔正久表示：“如果长鑫能够在2026年底前利用4F²架构生产产品，这将是一个重要里程碑。能否稳定提升量产良率，并建立商业供应规模，将成为这项新技术成功的关键。”
他表示，这可能“成为一个很好的案例，展示中国 半导体 生态系统不断增强的自主能力和技术水平”。
（文章来源：中国基金报）