星钥半导体首次亮相光博会，布局 MicroLED AR 微显示与光互连赛道
9 月 9 日，第 28 届中国国际光电博览会（CIOE）在深圳国际会展中心正式启幕。星钥半导体首次登陆光博会展台，集中展示从大尺寸硅基 GaN 外延、高精度混合键合到垂直堆叠单片全彩的全链条工艺晶圆实物，以及多波长可定制微显示屏、红绿双色堆叠样品、R/G/B+CMOS 垂直堆叠晶圆、MicroLED 光互连器件等系列研发成果。
星钥半导体指出，当前 MicroLED 产业的核心痛点集中于制造成本高企、产品交付能力不足，其根源在于现有工艺路线难以实现规模化落地，依托成熟半导体工艺是破解困局的核心解决方案。随着基于半导体工艺路线的量产产线全线打通出货，公司建成中国第一条真正意义上的 8 英寸 MicroLED IDM 产线，外延、芯片、键合全流程自主可控、无代工环节，标志着 MicroLED 产业化迈入全链路自主制造的全新阶段。
深圳，2026 年 9 月 10 日 —— 伴随消费级 AR 硬件与 AI 算力产业快速发展，MicroLED 作为下一代微显示与高速互联的核心技术，受到行业高度关注。本届深圳光博会上，星钥半导体完成公司在 CIOE 展会的首次公开亮相。
四大技术平台构成 IDM 制造底座，展示全工艺段晶圆实物
本次展会，星钥半导体现场展出大尺寸硅基 GaN 外延晶圆、Chip on Wafer 加工晶圆、Hybrid Bonding 混合键合样片、垂直堆叠单片全彩中间工艺晶圆等多段关键工艺 Wafer 实物，完整还原从外延生长、晶圆加工、高精度混合键合再到垂直堆叠的整套工程链路。
在同期论坛报告中，星钥半导体系统阐述了实现高性能可量产 MicroLED 必须具备的四大技术平台
大尺寸硅基 GaN：与 CMOS 同为 Si 衬底，键合工艺匹配性好、良率更高，适配标准半导体产线，量产规模与成本优势显著；
高效率红光：三元红光（Si 衬底）像素微缩效应影响小、短波长光效更优，四元红光（GaAs 衬底）色纯度高、色域覆盖广、适配 X-cube 架构，两条路线优势互补；
高精度 Hybrid Bonding 混合键合：解决 CTE 失配、超高互连密度、热预算受限等异质集成挑战，支持室温预键合、超高密度互连、极低寄生参数；
异质堆叠集成：借鉴 CIS（感光 PD+DRAM+CMOS/ISP 垂直堆叠）成熟范式，实现 R/G/B+CMOS 垂直堆叠的单片全彩路径。
多元产品集中亮相，多波长定制、双色堆叠、单片全彩成果同步展出
在可定制多波长单色 Micro-LED 微显示屏方面，展台重点展出 490nm Tiffany 蓝、580nm 爱马仕橙等多款特色波长样品。不同于行业主流标准绿光方案，两款特殊波长器件针对不同客户需求做定向开发，开展现场演示之后，获得众多来访客户的重点关注与积极反馈。多波长灵活定制能力高度依托自研硅基 GaN 外延平台，通过调整量子阱组分，实现在较宽光谱区间内的波长调谐，摆脱对外购标准化外延片的依赖，更好匹配下游整机厂商差异化的光学系统设计需求。
展台同步展出基于混合键合技术的绿红双色堆叠样品。该产品通过垂直堆叠架构，实现红绿双发光层集成，不仅可以输出两种独立色彩，还能够实现显示屏输出波长动态可调，为 AR 设备提供介于单色与全彩之间的过渡级解决方案。在全彩大规模量产之前，双色堆叠方案可以丰富 AR 终端的色彩表现力，同时持续打磨堆叠、键合整套工艺，为后续单片全彩研发完成工艺练兵。
面向远期全彩目标，现场展出R/G/B+CMOS 垂直堆叠工艺晶圆。公司对外披露，基于该垂直堆叠路线开发的单片全彩样品，计划2027 年 3 月对外交付量产级样品，为行业提供可落地的全彩技术选项，同时，公司布局三元红光、四元红光两种红光方案，X-Cube合光与单片堆叠全彩两种全彩方案，以适配不同终端客户的差异化需求。