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浪涌电流能力
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IX800FXF2YMS4采用优化的SiC芯片设计，在异常条件下可实现300kA²s[1]的I²t特性，该特性是衡量二极管部分
浪涌电流能力
的指标。
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其规格参数中标明了二极管部分的I²t极限值，该值是衡量
浪涌电流能力
的指标。
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