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复旦大学周鹏-刘春森团队发明“量子闪存”技术


2026年07月24日 09:1

7月17日凌晨,复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室集成电路与微纳电子创新学院周鹏-刘春森研究团队在《科学》(Science)发表重磅成果。

该团队发明的“量子闪存”(Quantum Flash)技术成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构,首次在室温(27℃)环境下清晰观测到了单电子的非易失性存储行为。

漏极-沟道-源极“归壹”结构 漏极-沟道-源极“归壹”结构 团队从量子力学基本原理出发,重新审视单个电子操控的边界,利用二维半导体原子级厚度的天然“囚禁”优势,独创性地提出了自对准平面裁剪方案,成功构建出共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构。实验显示,仅需注入单个电子,存储窗口便可达0.5伏特,数据在室温下依然保持稳定。相较于1997年《科学》(Science)杂志报道的55 mV且仅能维持5秒的硅基单电子存储,这项工作将室温下的单电子量子态信号放大了近一个数量级,并具备了真正的非易失性。

这不仅彻底打破了“单电子存储”无法实现的传统认知,开创了单电子量子存储的全新理论体系,更为AI时代算力革命奠定关键理论基础。

早在去年4月,周鹏-刘春森团队于《自然》(Nature)期刊提出“破晓(PoX)”器件,实现了世界最快400皮秒超高速非易失存储,解决了自1967年浮栅晶体管发明后,高速与非易失无法兼得的基础性难题。

主题:单电子|“量子闪存”