辐射

科学家研发新型太空级NAND闪存：可承受1亿次X光辐射，抗辐射能力超传统产品30倍2026年05月22日09:47IT之家IT之家5月22日消息，随着太空任务日益频繁，所需要的航天器也必须越来越多地依赖自身完成数据处理和存储。

为此，乔治亚理工学院的科研人员开发出了一种基于铁电材料打造的NAND闪存，其耐辐射能力是传统NAND的30倍。

然而，太空中的辐射会严重降低其性能，甚至导致数据丢失。

相比之下，铁电NAND闪存并不以俘获电荷的形式存储数据，而是以材料中的极化状态来存储，而极化对辐射效应具有很强的抵抗力。

乔治亚理工学院电气与计算机工程学院副教授AsifKhan表示：“如果把传统闪存送入太空，辐射与闪存中俘获电荷的相互作用很容易损坏数据。