DRAM涨价潮再添一把火！EUV掩膜也卡脖子：三星内存扩产受阻
速读：空白EUV掩膜是EUV光刻掩膜版的基础基材，相当于先进光刻机刻画电路的“底片”。
快科技11月12日消息，在AI需求狂飙、内存价格居高不下的当下，DRAM涨价的“元凶”名单里又多了一个关键角色。
据报道， 全球空白EUV掩膜龙头日本豪雅已向三星电子交底，2027年产能存在上限，无法承接其内存扩产带来的增量需求。这意味着，先进DRAM的扩产计划将被迫踩下刹车。
空白EUV掩膜是EUV光刻掩膜版的基础基材，相当于先进光刻机刻画电路的“底片”。 豪雅在这一环节的市占率高达七成以上，是绝对的寡头。 随着三星DRAM向1c、1d等更先进节点微缩，对掩膜的需求呈指数级增加。
数据更为直观。三星DRAM单片掩膜用量从1b工艺的4至5片，将飙升至1d工艺的约10片。
三星内部测算，未来三年其空白EUV掩膜用量将保持25%的年增幅，今年预计消耗5500张。但豪雅明确表示， 其他芯片厂也在疯抢，实在无法单独给三星加量。
产能缺口短期内无解。豪雅虽已敲定在新加坡建新厂，但产能要到2028财年才能释放，根本救不了2027年的火。在AI服务器对内存需求极度饥渴的背景下，前端材料供给卡壳， 将直接拖慢原厂先进产能的释放速度，进一步支撑DRAM价格维持高位。
为了保供，三星正急寻韩国本土厂商S&S Tech作为替代。但材料端切入供应链需要漫长的良率验证，远水难救近火。 对于消费者而言，先进DRAM产能扩张受阻，意味着期待内存短期内降价，恐怕只能是一厢情愿了。