国仪公司发布200 kV透射电镜信息分辨率达0.1纳米
国仪公司发布200kV透射电镜 信息分辨率达0.1纳米
2026年10月19日 12:21
作者：
叶玲珍
10月18日，国仪公司(688828)在2026年全国 电子 显微学学术年会上，正式发布自主研发的200kV场发射透射电镜TEM-F200。
记者获悉，该产品信息分辨率达到0.1纳米，点分辨率达到0.25纳米，多项关键性能指标达到国际一流水平，并已具备量产交付能力，标志着国产高端透射电镜从研制突破加快迈向产品化交付阶段。
作为 半导体 、先进材料、 新能源 和生命科学等领域的关键分析工具，透射电镜利用高能 电子 束穿透样品，通过采集透射、散射和衍射 电子 进行成像，在原子尺度表征晶体结构、界面和缺陷。
以 半导体 领域为例，随着芯片结构不断复杂化，透射电镜在先进制程研发和芯片问题定位中的作用日益突出。通过对芯片截面进行高分辨成像，透射电镜可帮助研究人员观察晶体排列、薄膜厚度、界面质量以及位错、空洞、杂质等微观缺陷，并结合微区成分分析，为工艺验证、器件研发、失效分析和可靠性评估提供依据。
长期以来，全球透射电镜市场由少数国际厂商占据，国内用户在设备采购、关键部件供应、维修维护、软件适配和应用服务等方面存在严重的外部依赖。其中200kV级场发射透射电镜对电子枪、高压电源、电子光学、探测器和整机控制等多个系统的协同稳定性要求极高，是国际厂商的技术制高点。
本次国仪公司发布的200kV场发射透射电镜，实现从核心模组、控制分析软件、系统集成到整机优化的全流程自主开发，将加快高端透射电镜国产化进程，有助于提升科学仪器供应链的自主可控水平。
国仪公司董事长贺羽表示：“200kV透射电镜具有更高的加速电压，电子束动能更高、波长更短，相对低电压平台对一定厚度范围内的高密度样品穿透能力更强；在合适薄区样品和相应分析附件配合下，可以更好地支持 半导体 、先进材料等领域的高分辨成像、界面与缺陷分析以及纳米尺度微区成分分析。其研发难点，不是简单提高加速电压，而是要实现高压电源、电子枪、电子光学、探测器、软件和整机控制等多个系统的稳定协同。”
（文章来源：证券时报网）