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消息称三星电子讨论重启半导体新业务,V 10 NAND是一大重点


速读:韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称,在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后,三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。 此次讨论的重点包括下一代(V10)NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板,都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。
2026年05月11日 16:48

IT之家 5 月 11 日消息,韩媒 ETNEWS 当地时间今日报道称,在 DRAM 尤其是 HBM 业务竞争力恢复后,三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。

此次讨论的重点 包括下一代 (V10) NAND 闪存 、 化合物半导体 、 先进封装及基板 ,都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余,三星半导体正瞄准下一阶段的增长。

三星电子在 2024 年 4 月和 9 月先后宣布其第九代 286 层 V-NAND 的 TLC 和 QLC 版本进入量产阶段,此后一直未上线新的 NAND 工艺节点。换句话说 其量产制程出现了超过 2 年的停滞 。

从目前媒体侧的消息来看, 三星电子的 V10 NAND 堆叠层数将跃升至 400 以上 ,提升单位晶圆的容量产出。而为了达成这一目标,该企业需要引入一系列的工艺创新。

关键词 :

三星电子 半导体 NAND

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主题:三星电子