美光扔出王炸！DDR 6带宽暴涨2倍400层NAND量产
快科技10月22日消息，据报道，美光近日在2026年OCP峰会上公布下一代存储技术路线图，覆盖DDR6、LPDDR6、vHBM及G11 NAND四大方向，多项指标较上代实现翻倍级提升。
DDR6的带宽预计达到DDR5的两倍以上，主要面向高可靠性服务器市场。LPDDR6的能效较LPDDR5提升超过35%，在部分密度配置下提升幅度更大，同时兼顾数据中心与移动设备场景。
两者均基于美光即将推出的1δ（1-Delta）DRAM工艺节点， 该节点号称“全球最先进DRAM”， 位密度较上代提升约20%，计划2027年下半年进入量产爬坡阶段。
在HBM领域，美光首次提出垂直HBM（vHBM）概念，将内存直接堆叠在计算芯片上方，实现最短的内存到计算路径。
vHBM将依靠混合铜键合、热感知设计与系统协同优化来提升互连密度和能效，首代产品预计2028年推出，2030年演进至vHBM3。
NAND方面，美光跳过一代直接推出G11， 堆叠层数突破400层，采用晶圆级键合技术， 位密度约为G9的两倍，I/O速度提升1.5倍，每比特数据传输能耗降低25%以上，同样计划2027年下半年量产。美光总裁Scott DeBoer称其为“全球最先进的NAND”。
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