SiC MOSFET数据手册解析（二）——额定电压到底该怎么看？
功率器件的 额定电压 通常会直接体现在产品型号中。
以 英飞凌 产品为例，型号中通常包含器件耐压等级的关键信息。例如：
IMZA120R034M2H中的“120”表示器件 额定电压 为1200 V；
IMZA65R010M2H中的“65”表示器件 额定电压 为650 V。
在 数据手册 中，额定电压对应的参数为 VDSS（Drain-Source Voltage）。
很多工程师习惯把额定电压简单理解为“耐压等级”，认为这是器件能够承受的最高电压，一旦超过就会立即损坏。
但事实上，额定电压并不完全等同于器件的击穿电压，更不意味着超过这一数值器件一定会失效。
要理解这一点，需要先看看 MOSFET 在高压下究竟发生了什么。
MOSFET 为什么会发生雪崩击穿？
下图为功率 MOSFET 的简化剖面结构。
（MOSFET剖面图）
器件顶部为源极N+区和P基区，下面是N型漂移区，再通过N+缓冲层连接到底部漏极。
当漏极与源极之间施加较高的正向电压时，P基区与N漂移区形成反偏PN结，并产生空间电荷区。在强电场作用下，漂移区中的电子不断加速。
当电场强度超过临界值后，高速电子会撞击晶格中的原子，产生新的电子-空穴对。新产生的电子又继续被加速，并撞击更多原子，从而形成连锁倍增效应。
这一过程称为碰撞电离（Impact Ionization）。
随着载流子数量急剧增加，器件漏电流突然上升，即发生雪崩击穿（Avalanche Breakdown）。
测试 SiC MOSFET的击穿电压曲线，需要将Gate与Source短接，Drain与Source之间加正电压Vds并从0开始慢慢增大，并监测漏电流Idss, 电压Vdss与Idss曲线如下图所示。一开始随着电压增大器件仅有微弱的漏电流，当Vds增加到某一临界值后，漏电流急剧上升，此时器件发生了雪崩击穿。
雪崩击穿一定会烧毁器件吗？
答案是：不一定。
很多工程师会把“击穿”和“损坏”画上等号，但实际上两者并非同一个概念。
如果在静态耐压测试过程中严格限制雪崩电流在极低水平，例如限制在数十微安到数百微安范围内，即使器件进入雪崩区，也可以反复进行测试而不会损坏。
真正导致器件失效的关键因素并不是雪崩本身，而是雪崩过程中产生的热量。
当器件持续承受较大的雪崩电流时，会产生大量焦耳热。如果释放的能量超过芯片所能承受的极限，结温迅速升高，最终导致器件失效。
额定电压与击穿电压之间有什么关系？
为了保证可靠性，MOSFET 数据手册 标注的额定电压通常会与实际雪崩击穿电压保持一定安全余量。比如，额定电压1200V的 SiC MOSFET，实际雪崩击穿电压往往在1300V~1500V之间。雪崩击穿电压呈正温度系数，即结温越低，实际击穿电压越低。因此，低温环境下要格外注意击穿电压的余量。 英飞凌 Cool SiC ™ MOSFET可保证极低温度（-55）条件下，器件实际雪崩击穿电压仍高于额定电压。