英飞凌

▪PSU（供电单元）的电压、功率等级不断提升，功率向sidecar（独立部署在计算柜旁的专用高压直流电源边柜）侧迁移，英飞凌CoolSiC™、CoolGaN™大幅提升功率密度。

英飞凌CoolSiC™碳化硅方案支持更高能效，同时缩减设备体积。

英飞凌投资50亿欧元、历时三年打造的位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab）已于7月正式投产

2024年9月，英飞凌成功研发出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆技术，成为全球首家可在成熟、可扩展的规模化生产体系中落地该项突破性技术的企业

▪CSP（云服务供应商）正在推动算力及能效升级，英飞凌提供全链路成套解决方案，助力整机能耗降低。

潘大伟透露，英飞凌投资50亿欧元、历时三年打造的位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（SmartPowerFab）已于7月正式投产。