国产存储历史性一刻！长鑫LPDDR 6全球首发上旗舰机：带宽暴涨60%，功耗还降20%
快科技9月8日消息， 长鑫存储宣布，其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用，并首发搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机，这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用，标志着国产存储在高端内存领域迈出关键一步。
规格方面，此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb，封装芯片容量达16GB，遵循JEDEC LPDDR6标准，采用1295 Ball FBGA全新封装。
该芯片最高传输速率可达12800Mbps，与SoC搭配速率为10667Mbps，可为旗舰SoC提供充裕的数据带宽。
相比速率同为10667Mbps的LPDDR5X，带宽提升60%，而功耗降低了20%，能够有效延长移动设备续航。
此次LPDDR6的研发及量产背后涉及多项创新。设计上，芯片采用双子通道架构，常规模式下配置24bit原生I/O，高速接口支持每路信号引脚独立调校预加重、信号均衡参数，配合智能训练机制，充分保障高速传输下的信号准确性与运行稳定性。
能效管理方面，LPDDR6采用双轨DVFS设计，提供硬件层面的电压分离能力，同时引入动态效率模式实现策略调度，支持芯片在不同负载下始终保持最佳能效比。
此外在原有Link ECC、On Die ECC基础上，新增每行激活计数防止行锤攻击，以及内建自测试等功能，以多重机制保障数据完整性与系统稳定性。
工艺层面，长鑫通过工艺与设计协同创新，针对CMOS区域的关键电路和设计规则进行了超过100项深度优化，成功制造出尺寸更小、性能更优的CMOS晶体管，支撑了产品高带宽、低功耗的升级需求。
封装环节，1295 Ball FBGA封装的焊球面积较LPDDR5的496 Ball大50%，制造难度同步提升，长鑫还采用高导热型High K EMC塑封料对芯片整体包覆保护，使颗粒热阻下降约40%，大幅改善LPDDR6高负载运行时的热量导出效率，保障性能稳定发挥。
长鑫存储表示，当下高性能、低功耗内存需求持续增长，LPDDR6作为最新一代低功耗高速率产品，未来落地场景将涵盖手机、电脑、智能汽车、边缘服务器、智能穿戴设备和机器人等领域。
此次成功推出LPDDR6，是公司在高端存储自主研发道路上的重要里程碑，该产品目前正加速商业化与规模化应用，公司将持续优化性能表现、丰富产品线组合，携手产业链伙伴推动LPDDR6在更广泛的智能场景中落地。
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