电子
分类
状态
撤去外加电压后，不同单电子状态在5000秒的直接测量中仍保持稳定，显示出非易失保持特性。
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存储
“一电子、一比特”，单电子存储器来了2026年08月11日02:50中国科学报与硅工艺兼容的“归壹”单电子存储器件。
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20世纪80年代中期，随着单电子隧穿与库仑阻塞理论逐步建立，科学家开始设想，能否只用1个电子存储1个比特的信息。
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然而，1997年美国科学家演示硅基单电子存储器后，这一新兴“赛道”的问题却开始暴露。
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这让全球科学界一度对单电子存储的观测与应用不抱希望。
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在20世纪末，研究者围绕这个目标开展了大量工作，以期为测量单电子存储提供新的技术路径。
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研究团队将这一独特的结构命名为“归壹”，并进一步制备出栅长约20纳米的二维单电子存储器件。
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团队重新“拾起”单电子存储，还缘于对人工智能（AI）时代存储需求的判断。
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效果
“以往搬运20万个电子才能代表一个信息，现在只需搬运1个电子，能耗无疑将指数级降低。
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