长鑫科技科创板上市两个多月：一边股价震荡，一边新技术突破
长鑫科技科创板上市两个多月：一边股价震荡，一边新技术突破
2026年10月15日 23:32
作者：
科创板日报记者 郭辉
《科创板日报》10月15日讯（记者郭辉） 登陆科创板两个多月来，国产DRAM龙头 长鑫科技 一方面实现新技术成果突破，一方面又经历资本市场剧烈震荡。
截至最新一个交易日（10月15日）， 长鑫科技 股价较上市首日收盘价下跌11.04%，自上市至今的区间最高价跌幅将近30%。
市值维度来看， 长鑫科技 最新市值为2.96万亿元，短短两个月的时间，便从4.2万亿元的高点跌破3万亿，A股市值 “一哥” 位置易主。在其上市后不久，长鑫科技曾代替 工商银行 、茅台等公司，市值登顶A股，并且这是第一次由一家做DRAM芯片的硬科技公司坐在A股市值第一的位置。
存储芯片 概念股震荡
连日以来，全球存储板块整体迎来显著回调。
10月15日早间消息显示，美股 存储芯片 概念股盘前集体走低，其中 SK海力士 （SKHY）跌超7.8%， 西部数据 （WDC）、 希捷科技 （STX）、 闪迪 （SNDK）及 美光科技 （MU）跌幅均超5%；港股存储概念走低，10月15日南方两倍做多海力士跌超24%， 南方两倍做多三星电子 跌超20%；今日韩国KOSPI指数盘中一度跌至5450点，创近三个月低点。
全球存储产业正在开启产能大举扩充阶段。然而全球投资者的担忧愈发浓烈，随着科技巨头搭建AI基础设施需要巨额资本开支，在美联储加息的背景下，借贷成本高昂，可能会限制开支前景，进而拖累这些本轮AI投资热潮中受益的科技企业。
以海力士为例，该公司今年年初宣布将向龙仁 半导体 集群晶圆厂（Fab）一期追加投资21.6万亿韩元，以应对AI及 数据中心 市场对 高带宽内存 （HBM）等先进 半导体 的结构性需求增长，保障大规模生产，项目首批无尘室的交付时间将由原定的2027年5月提前至2027年2月。海力士位于美国印第安纳州的晶圆厂总投资额将超过40亿美元，预计于2028年10月完成无尘室建设，并于2029年下半年启动新一代HBM量产。
市场观点认为，DRAM行业整体处于景气周期的预期不变，但亦值得关注供需矛盾放缓迹象。
Counterpoint预计，今年三季度DRAM价格环比上涨10%-20%，存储供需偏紧或延续至2027年。TrendForce则预计，今年第四季度Conventional DRAM、HBMBlended及NAND Flash合约价分别环比上涨10%-15%、15%-20%和15%-20%。
不过群智咨询（Sigmaintell）发布的存储价格风向标则显示， 2026年第三季度，全球存储市场整体供需依旧紧缺，DRAM、NAND Flash全品类价格维持环比上行，但相较于二季度的涨价幅度已明显放缓，部分 存储芯片 的环比涨幅已收窄到10%以内。
TrendForce也预测，传统DRAM及NANDA在Q4的涨幅将较2026年第三季度有所收敛，但价格上行趋势并未逆转。
三星等存储芯片巨头最新发布的业绩也显示了一定的指标性意义。
据三星公布的初步业绩，三星 电子 今年7月至9月期间营收同比增长127%，达到195万亿韩元，营业利润为107.4 万亿韩元（约合801.7 亿美元），较上年同期的12.17万亿韩元飙升近8倍。
然而对比第二季度财报数据可以看到，其成长幅度有所减缓。由于AI旺盛需求持续推动存储芯片业务增长，三星 电子 Q2营收为171.5万亿韩元，同比增长130%；营业利润为89.5万亿韩元，同比暴增1814%；净利润为71.6245万亿韩元，同比增长1299.9%。
国盛证券 分析师佘凌星团队研报观点认为，AI基础设施建设持续拉动高性能存储需求，HBM、Server DRAM及企业级SSD供需有望维持偏紧。存储芯片原厂将先进制程和资本开支重点投向服务器、高容量及高附加值产品，但新建洁净室、技术升级和产能爬坡均需要较长时间，短期供给增量难以完全匹配AI服务器需求增长。
长鑫科技技术迭代节奏显著提速。
股价震荡的同时，长鑫科技新技术实现突破。
10月10日，长鑫科技相关负责人宣布，预计将于今年年底推出融合了4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。目前DRAM行业内主流的架构是6F²架构，这将是存储产业第一次从6F²到4F²设计和工艺的技术跨越，并且确定了量产时间点。
《科创板日报》记者获悉，长鑫科技自成立以来就启动了4F²的研究和专利布局，公开专利族超300件，数量领先海内外厂商。
长鑫科技9月20日宣布，该公司第五代工艺技术平台正式实现量产，并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。G5平台在关键工艺维度实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术，长鑫科技把内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。
今年8月，长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代LPDDR5X实现全面跃升，通过架构创新及数据传输优化技术，峰值速率达12800Mbps，芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用。
业绩方面，长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
根据Omdia数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，全球市场份额从近乎为零攀升至2025年第四季度的7.67%。
（文章来源：财联社）