全新三维集成原生计算架构

据介绍，该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3DDRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。