联电携手爱普科技推进AI与高效能运算系统电源解决方案
联华电子 与 爱普科技 于今(22)日共同宣布展开技术与制造合作，推进AI与 高效能运算 (HPC)系统的供电解决方案。此次合作结合联电的 深沟槽电容 (Deep Trench Capacitor, DTC)制程技术与可扩充的晶圆制造能力，以及 爱普科技 的 硅电容设计 与系统层级整合技术，共同因应下一代资料中心在电源效率方面的挑战。
随着 AI运算 工作负载快速成长，运算系统对电源传输的要求日益提高，推动资料中心的电源架构从传统将稳压元件配置于电路板上，逐步转向将电容直接嵌入中介层(Interposer)或基板中。此创新架构可缩短电源传输路径、提升电源完整性(Power Integrity)，并支援先进封装内更有效率的电压调节。
联电与 爱普科技 的合作已于2026年第三季达成重要里程碑，爱普科技S-SiCap™ Gen2D分离式 硅电容设计 已完成投片及初步功能验证。下一阶段将针对封装基板中的电容进行完整的系统级效能与可靠度测试，目标是支援不同的电容量与工作电压需求。双方也正探讨将合作拓展至其他包括硅中介层嵌入式电容及基板底面电容的产品线，以因应多元的系统设计需求。
联电资深副总经理洪圭钧表示：「AI与HPC的成长正推动电源传输架构根本性的转变，从电路板层级的供电，逐步走向晶片层级的垂直电源整合。联电提供完整的供电解决方案，包括DTC技术，可将高密度电容配置于更靠近运算晶片的位置，以达到更稳定晶片供电效果。联电透过与爱普科技合作，正致力将可扩充的解决方案推向市场，以克服 AI基础设施持续演进所带来的关键供电瓶颈。」
爱普科技总经理洪志勋表示：「采用DTC技术的客制化S-SiCap™产品成功完成投片及初步晶圆验证，是展现爱普科技S-SiCap™设计弹性与可制造性的重要里程碑。透过与联电的合
作，我们为客户提供从产品设计到晶圆制造的一站式解决方案。」
联电的供电解决方案蓝图涵盖可应用于不同系统架构的分离式与嵌入式硅电容，并延伸至内部电压调节器等主动元件。联电亦运用其先进封装能力，实现更高密度的电源元件整合，以满足下世代资料中心对更高电压与电容量的需求。同时，联电持续投资扩充制造产能，以支援电源与异质整合解决方案。