进一步增强逻辑性能：三星电子计划在HBM 5内存导入2 nm基础裸片
IT之家 7 月 27 日消息，根据三星半导体官方今日发布的人物访谈，三星电子晶圆代工业务技术开发负责人구자흠进一步确认， 三星计划在 HBM5 世代应用 2nm 的基础裸片 。三星电子存储器业务开发副总裁 황상준 今年 3 月也进行了类似表态。
구자흠提到， HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上 ，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。该内存堆栈选择 2nm 作为基础裸片工艺 旨在于性能和能效两方面实现重大改进 。
三星电子的 HBM4 和 HBM4E 上均配备 4nm 基础裸片，但这两个版本的基础裸片有所区别。三星电子发挥了其 4nm 节点的灵活性优势， 在 HBM4E 基础裸片上应用了高密度、超高性能器件 ，实现了 14+ Gbps 高速运行，而 金属层的更有效排列 则在降低功耗的同时优化散热路径。
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