前英特尔CEO基辛格称HBM是“糟糕的内存”
速读：前英特尔CEO基辛格称HBM是“糟糕的内存”2026年10月14日15:47IT之家IT之家10月14日消息，科技媒体Wccftech昨日（10月13日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特·基辛格（PatGelsinger）再次批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与“海岸线带宽”受限等问题，称其为“糟糕的内存”。
IT之家 10 月 14 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 13 日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）再次批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与“海岸线带宽”受限等问题， 称其为“糟糕的内存”。
IT之家注：海岸线带宽（Shoreline Bandwidth）是指计算芯片边缘可用于连接 HBM 的物理周长资源。由于 HBM 接口需要占用芯片边缘大量面积，可布置的内存堆叠数量受到限制，从而形成带宽扩展瓶颈。
基辛格在接受 a16Z 的专访时，批评高带宽内存 (HBM) 解决方案：
基辛格指出，HBM 的位密度较低，且数据集中布局会带来功耗与散热压力，对 AI 这类内存与计算高度耦合的工作负载而言，该架构存在明显短板。
散热方面，HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位，需要大量并行连接与微凸点。韩国科学技术院的分析显示，当 HBM 功耗超过约 30 瓦时，GPU 或 ASIC 与 HBM 堆栈之间的物理层接口（PHY）自身发热会成为内存热应力的主要来源。
位密度方面，HBM 堆叠中的 DRAM 裸片需通过大量硅通孔（TSV）连接。该结构减少单颗裸片可容纳的存储单元数量，导致单颗 DRAM 裸片位密度较低；但整个堆叠在每平方毫米层面仍可提供更高累计密度。