存储芯片市场走势分化：DRAM强势不改，NAND面临修正压力
2026年9月第二周，全球 存储芯片 市场呈现出鲜明的结构性分化特征： DRAM 端在供给紧缺支撑下价格持续走强，而 NAND 闪存端则在消费需求疲软与库存压力下价格承压下行。
DRAM 维持供给紧缺格局
根据TrendForce 9月9日发布的最新内存现货价格报告，本周 DRAM 现货市场交投整体有限，但不同产品线表现各异。
DDR5 价格延续小幅上涨态势：9月8日 DDR5 16Gb（2Gx8）4800/5600现货均价较9月2日上涨0.15%； DDR5 16Gb（2Gx8）eTT则保持不变。当前仅个别原厂对核心战略客户供应少量DDR5高等级资源，供应稀缺使得原厂拥有强定价权。现货市场同容量同等级的DDR5颗粒价格过高，存储厂商仍选择持续向原厂采购资源以补充库存，这进一步支撑了DDR5价格。
不过，TrendForce指出，DDR5芯片的采购量整体仍然有限，需求呈零散化、局部化特征。
DDR4 走势出现分化：9月8日， DDR4 16Gb（2Gx8）3200现货均价较9月2日下跌0.97%，而 DDR4 8Gb（1Gx8）3200上涨1.78%；DDR4 16Gb（2Gx8）eTT则上涨3.54%。
DDR5与DDR4价格走势呈现明显差异，其背后是多重结构性因素的交织：
· HBM产能挤出的传导效应：本轮DRAM价格上涨的核心驱动力在于人工智能应用对高带宽内存（HBM）的爆发式需求。HBM产品利润率显著高于传统DDR5与DDR4，全球三大DRAM供应商（三星、SK海力士、美光）正将产能优先向HBM倾斜，相应压缩了面向PC等通用市场的DRAM产出。这一产能挤出现象对DDR5和DDR4的影响程度不同 —— DDR5作为较新产品，部分产能原本就与HBM共享先进制程，受挤出效应更为直接；而DDR4主要依赖成熟制程，产能挤压相对间接。
· DDR4价格的强势有其特殊背景：此前三星等主要厂商计划逐步停止DDR4内存生产，导致供应端持续收缩，推动价格快速攀升，甚至一度出现DDR4价格反超DDR5的罕见“倒挂”现象。这种倒挂反映了旧产品因供给骤减而比新产品更贵的结构性扭曲。
DDR5的需求主要来自AI服务器和数据中心领域，这部分需求增长强劲且价格敏感度较低。而DDR4的需求更多来自传统PC和消费电子领域，虽然整体需求相对疲软，但由于供给端收缩更为剧烈，价格反而表现出一定韧性。
展望2026年下半年及更长期，DRAM市场大概率将维持供给紧缺格局：长鑫科技高级副总裁黄丹阳在9月7日的半年度业绩说明会上明确表示，展望2026年下半年，全球DRAM产品供给紧缺格局将延续；不过长鑫科技也提醒，当前价格已处于高位，不具备持续大幅上涨的条件。
值得注意的是，摩根士丹利等机构认为，2027年DRAM供需紧张程度可能比2026年更甚，紧张格局有望延续至2028年。TrendForce预测，2027年AI需求持续扩张将导致供需缺口扩大，三大原厂积极扩产转进先进制程，但供给成长仍落后于需求，卖方市场格局料将延续：服务器DRAM价格在2025年下半年累计上涨约64%的基础上，2026年预计再涨约270%。
NAND 闪存采购动能持续疲软
与DRAM的强势形成鲜明对比， NAND 闪存现货市场本周延续弱势：512Gb TLC晶圆现货价格本周下跌2.71%，报20.15美元；eMMC 64GB下调1.58%；MicroSD 64GB、SLC 1Gb和MLC 64Gb等产品价格则保持平稳。
虽然NAND闪存合约价格三季度预计季增10-15%，但相较于二季度的大幅上涨，涨幅已明显收窄。群智咨询数据显示，512GB PCIe 4.0 SSD本季度环比涨幅为14%，企业级相关需求提供一定支撑，但消费PC客户涨价接受度下降，采购备货意愿同步收缩。
NAND闪存市场内部同样呈现分化，不同型号价格走势差异明显。
512Gb TLC和1Tb QLC等主流NAND晶圆价格本周小幅下调：核心原因在于原厂Flash Wafer价格与现货贸易价走势已分化长达近半年，多数同一型号的wafer价差高达10%-20%，甚至部分1Tb QLC NAND价差超过20%。原厂价格与现货价格“倒挂”现象日趋严重。尽管二季度以来下游存储厂商备货积极性明显转弱，原厂仍可通过中小型厂商及其他销售渠道消化部分产能并维持高价。然而，现货端流通的低价wafer持续影响市场情绪和备货态度。
利基型NAND（如SLC NAND）价格涨势强劲：TrendForce指出，由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加值产品，挤压了NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能。2026上半年SLC NAND累积合约价涨幅已突破100%。预计2026年下半年SLC NAND合约价格较上半年仍有120%-170%的上涨空间。
TrendForce明确指出，本周NAND闪存“采购动能依然疲软”，这一现象背后有多重因素：
· 消费终端需求持续不振：智能手机与笔记本的拉货动能持续衰退。TrendForce预估2026年智能手机产量将同比下降15%至20%；笔记本继2026年出货年减约10%后，预计2027年仍将受到存储器、CPU等零部件成本高企的负面影响。消费端需求的疲软直接压制了NAND的采购意愿。尽管供应商已放宽定价灵活性并降低报价以刺激采购，但买方对未来市场状况普遍持谨慎态度 —— 在高价位和需求不确定性的双重影响下，整体交易量持续低迷。
· 库存压力与价格预期分歧：目前原厂库存水位依然偏低，但模组厂因消费市场持续低迷导致库存上升。库存结构的分化使得不同市场参与者的价格预期出现分歧，进一步抑制了交易活跃度。
TrendForce预估2026年NAND闪存供应和需求位元的差距将落在-4%至-5%之间，市场仍将呈现明显的缺货格局，但三季度合约价涨幅已明显收窄至10-15%。随着消费端压力持续扩大和高基期影响，涨势将进一步收敛。
预计2027年供给端产能的持续释放，以及消费端拉货的进一步走弱，NAND闪存供需将在2027年下半年转为宽松，价格届时可能面临修正压力。不过，若Agentic AI带动高速SSD需求加速成长，供需落差仍有收窄的可能。
与DRAM不同，NAND闪存在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，供给将趋向宽松。TrendForce明确指出，2027年存储器市场将出现明显分化 —— DRAM供给持续紧缺，而NAND供给转趋宽松。
总结
当前 存储芯片 市场已进入“DRAM强、NAND弱”的结构性分化阶段。DRAM端受HBM产能挤出效应、AI服务器需求爆发及供给端持续紧缺的多重支撑，价格维持强势（DDR5因供应稀缺持续小幅上涨，DDR4则在供给收缩与渠道补库推动下反弹）；而NAND端则因消费终端需求疲软、买方观望情绪浓厚以及现货与合约价格倒挂等因素，采购动能持续疲软，现货价格承压下行。
DRAM的供给紧缺格局在2026年下半年至2027年大概率将延续，但涨幅将逐步收敛；NAND则可能在2027年下半年迎来供需转折，价格面临修正压力。两大 存储芯片 品类的走势分化，将成为未来一年半内存储器市场最显著的特征。