2027年存储芯片仍将“历史性短缺”国产厂商迎机会窗口
2027年存储芯片仍将“历史性短缺” 国产厂商迎机会窗口
2026年09月09日 19:33
全球 存储芯片 的实际供需，比市场预期更为紧俏。
近日，韩国券商KB Securities发布报告称，随着全球 人工智能 基础设施投资持续提速，三星 电子 与 SK海力士 的 存储芯片 库存已降至不足10天供应量，2027年全球存储 半导体 市场可能迎来“历史上最紧张”的供需局面。
根据预期测算，KB Securities指出，全球超大规模 数据中心 运营商明年AI基础设施投资将达到1.3万亿美元，同比增长约60%；其中，存储 半导体 占AI基础设施投资的比例将由2025年的14%提升至2026年的40%，并进一步升至2027年的57%。
半导体 市研机构TrendForce的判断更为激进。据其预计，2027年DRAM和NAND Flash合计将占主要云服务商资本开支的68%。根据TrendForce已经发布的数据，2026年第二季度全球DRAM产业营收达到154.73亿美元，环比增长59.5%；与此同时，供应商库存仍处于历史低位，新增产能更多优先投向服务器领域。NAND市场同样处于涨价周期，2026年第二季度全球前五大NAND厂商营收合计达到688.7亿美元，环比增长77%。
这也意味着，从产业基本面看，此轮存储市场景气已不同于传统的补库存周期。
HBM4“挤占”传统产能
在业内看来，此次存储短缺最值得关注的变化，是需求增长已经从单一的HBM扩散至整个服务器存储体系。
过去两年，HBM几乎成为AI服务器中最受关注的存储产品。随着 英伟达 及其他厂商持续升级AI加速器，GPU与HBM之间的带宽需求不断提升，存储厂商也在将更多先进DRAM产能转向HBM。不过，在KB Securities看来，真正令2027年供需矛盾进一步恶化的，并不是HBM需求本身，而是HBM4量产对传统DRAM产能形成的“挤出效应”。
KB Securities指出，HBM4生产所需要的晶圆资源约为传统DRAM的3倍。在全球晶圆产能有限的情况下，HBM4占比提高意味着同样的晶圆投入能够产生的传统DRAM bit数量下降。也就是说，HBM4并非简单增加一种存储产品，而是在重塑整个DRAM产能配置。
这一判断，与TrendForce此前的研究基本一致：主要DRAM厂商正在通过先进制程迁移提高bit产出，但晶圆投片量短期内只能有限增加，更多依靠制程优化、洁净室空间调整以及产品线重新分配来扩充供应。
更重要的是，AI服务器对存储的需求并非止于HBM。KB Securities研究主管Kim Dong-won指出，AI服务器同时大量消耗服务器DDR5以及企业级SSD。一台AI服务器不仅需要大量HBM承担高速数据交换，还需要大容量系统内存处理模型运行、数据调度，并依赖企业级SSD承载数据集、模型文件和缓存。随着AI推理从“单次问答”向持续运行的智能体应用转变，服务器端的内存容量和存储容量都在同步增加。
这一趋势已经反映在市场数据中。Counterpoint Research的数据显示，2026年第二季度企业级SSD已经占全球NAND总位元出货量的48%，较一年前的26%接近翻倍，预计到2026年年底，这一比例将超过50%。
因此，本轮存储涨价实际上形成了一个较为特殊的闭环：AI资本开支增加，首先拉动HBM需求；HBM扩产进一步占用DRAM产能；与此同时，AI服务器又大量增加DDR5和企业级SSD采购，最终使DRAM与NAND两大市场同时承压。TrendForce预计，2026年至2027年，主要厂商将主要依靠制程迁移增加bit供应，而不是大规模增加晶圆投片；KB Securities则预计，2027年DRAM和NAND的需求增速将比供给增速高出10个百分点以上。
这也意味着，存储行业正在从传统的“价格—扩产—供过于求”周期，阶段性转向“AI需求增长—高端产品挤占产能—供给约束—价格上涨”的新循环。当然，存储行业高度周期性的本质并未消失。TechInsights首席战略官Dan Kim近期也指出，全球存储供需紧张的重要原因在于新增产能存在较长建设周期，真正大规模的新产能并不会迅速释放。
国产存储迎机会窗口期
虽然全球存储供给趋紧，但似乎成为中国存储产业的一个重要机会窗口期。其中，最具代表性的便是长江存储和长鑫存储。
在NAND领域，长江存储的进展尤为明显。Counterpoint Research数据显示，2026年第二季度，长江存储的全球NAND Flash出货份额已经达到14%，首次位居全球第三，超过铠侠；其出货量同比增长22%、环比增长5%。
与此同时，企业级SSD已经成为全球NAND需求增长最快的方向之一，长江存储也在加快从消费级SSD向企业级市场延伸。Counterpoint研究总监MS Hwang认为，随着长江存储第三座晶圆厂产能继续提升，其全球第三的位置有望在2027年进一步巩固。
技术产品方面，根据长江存储官方公布的信息，其已经实现267层3D NAND量产，并推进基于Xtacking架构的300层以上产品研发。今年年初以来，长江存储又持续推出面向PCIe 5.0的企业级SSD产品，显示其正在补齐AI 数据中心 市场的产品短板。
DRAM方面，国产化同样进入加速阶段。Counterpoint数据显示，2026年第二季度长鑫存储在全球DRAM市场的营收份额已经达到10%，较2025年同期的4%显著提升；同期三星为38%， SK海力士 为25%，美光为24%。这也意味着，在全球前三大厂商之外，中国DRAM厂商已经形成不可忽视的第四极。
TrendForce此前也指出，长鑫存储正在积极拓展服务器DRAM市场，并推进上海、合肥等新厂建设，同时提高国产设备应用比例。不过，先进制程及高带宽存储器研发仍面临技术和设备限制。
值得注意的是，当前长江存储的出货份额与其营收份额，仍存在明显差距。由于企业级SSD的平均售价和价值量高于消费级SSD，长江存储目前按营收计算仍落后于部分海外厂商。
对此，CHIP中国实验室主任罗国昭向记者表示，当前全球存储市场的紧缺潮，对国产存储产业是机会亦是挑战。一方面，海外大厂向HBM和高端服务器产品集中，使传统DRAM、NAND市场出现部分供给空当，为国产厂商扩大份额提供窗口；另一方面，AI 数据中心 正在成为未来存储需求增量最大的市场，而这个市场对高容量DDR5、高端企业级SSD以及HBM的技术、良率和生态要求也更高。
在此背景下，中国厂商能否借助本轮供需错配进一步扩大市场份额，并将出货量优势转化为高端产品和盈利能力优势，将成为未来两年产业竞争的关键变量。
（文章来源：中国经营报）