光通信上游再添IPO后备军:华兴光电启动A股辅导系化合物半导体外延片厂商
光通信上游再添IPO后备军:华兴光电启动A股辅导 系化合物半导体外延片厂商
2026年11月05日 12:5
光 通信 产业链上游再添拟IPO企业。
近日,证监会官网IPO辅导公示系统显示,江苏华兴光电科技股份有限公司(下称:“华兴光电”)向江苏证监局提交IPO辅导备案,辅导机构为 广发证券 。
华兴光电前身为江苏华兴激光科技有限公司,天眼查信息显示,其于2026年10月更名为江苏华兴光电科技股份有限公司。该公司成立于2016年2月,位于江苏徐州邳州经济开发区,是一家专注于化合物 半导体 光 电子 外延片研发和制造的国家高新技术企业、国家 专精特新 重点“小巨人”企业、江苏省“潜在 独角兽 ”企业。其以磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)为基底生产外延材料,应用方向涉及激光 通信 、激光传感、激光加工及手机射频功放等领域。
▍布局EML与硅光外延片 100G外延片已量产
华兴光电采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)、 电子 束及全息光刻、纳米压印等技术,生产不同结构和功能的 半导体 外延片。据介绍,其已建成磷化铟与砷化镓外延片制造平台,掌握全波段 半导体 激光和探测晶圆材料量产技术,是国内少数能量产高端光 通信 外延片的本土厂商。
目前,该公司拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线,覆盖材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。
具体来看,其磷化铟基产品包括10G/25G分布反馈式(DFB)激光外延片、50G/100G电吸收调制激光器(EML)外延片、硅光用大功率连续波DFB激光外延片,以及APD/PIN光探测外延片。其中,硅光用连续波激光外延片覆盖1310nm、1550nm波长。
砷化镓基产品则覆盖808nm、905nm、915nm、976nm等波长的边发射激光外延片,以及VCSEL/PIN外延片,应用方向包括激光泵浦、 医疗美容 、 激光雷达 与数据通信。
生产端,据华兴光电官网2025年5月发布的环境影响评价二次公示显示,该公司砷化镓、磷化铟半导体外延片生产工艺提升更新改造项目总投资1亿元,拟利用原有厂房,淘汰部分设备并购置安装MOCVD系统、接触式 光刻机 、纳米压印等设备。按照公示,改造完成后的设计规模为年产砷化镓半导体外延片5万片、磷化铟外延片1万片。
从产业化进展来看,华兴光电已推进更高速率外延片产品的量产。该公司总经理罗帅于今年3月接受媒体采访时表示,公司自2024年5月开始批量生产100G外延片,量产后需求快速增长,2025年订单较2024年明显增加。
▍创始人任中科院研究所副研究员
华兴光电创始人、董事、总经理罗帅,本科就读于北京师范大学物理系,2013年取得中国科学院大学微 电子 学与固体电子学专业工学博士学位,随后在中科院半导体所工作,任研究所副研究员,曾获科技部创新创业人才、江苏“双百工程”拔尖人才等称号。
该公司董事长季海铭为中科院研究生院工学博士,现任中科院半导体研究所副研究员,并受聘为江苏省产业教授。公司技术团队由国家高层次人才计划入选者、江苏省双创博士、双创人才等专业人员组成,其中博士16人、硕士18人,累计获得国家专利50余项。
股权结构方面,据其辅导备案报告显示,华兴光电无控股股东,实际控制人为季海铭、罗帅、蔡芳芳、王岩,四人合计控制有表决权股份占比42.62%。
在外部机构股东中,天眼查工商信息显示,徐州博灏创业投资管理有限公司以13.2393%的持股比例位列第一大股东,该机构为邳州经济开发区管委会下属的全资国有企业。
此外,该公司前十大股东中还涵盖多支国有全资子企业与国资产业基金。具体来看,北京中科半导体科技有限公司,持股5.2895%;金石制造业转型升级 新材料 基金(有限合伙),持股5.0725%;春霖沁藏(杭州)科创创业投资合伙企业(有限合伙),持股4.6247%;无锡金投领航产业升级并购投资企业(有限合伙),持股4.3879%。
从融资历程来看,天眼查信息显示,华兴光电累计完成8轮融资。
据中科院半导体所披露,2016年4月,研究所将“磷化铟基大晶格失配半导体激光芯片专利及技术”转让至华兴光电,获得1000万现金和367.57万股权。
2018年,该公司完成天使轮融资,投资方为半导体超晶格及泰有基金;2020年7月,公司获得无锡金投旗下金投领航、金投信安基金合计4000万元投资;同年11月,公司完成A+轮融资,投资方为博达股权投资及华益 创投 。
2021年4月,华兴光电宣布完成1亿元B轮融资,由国家制造业转型升级基金的特定投资载体金石制造业转型升级 新材料 基金领衔投资;次年5月,公司完成C轮融资,投资方为盈富泰克、亚禾资本等。
2025年12月,华兴光电完成数亿元D轮融资,投资方包括华泰紫金投资、 中信建投 资本、河北沿海产业投资基金等;2026年7月,公司再获D+轮融资,投资方含扬州融德浩钰、嘉兴玄辰等机构。
▍AI算力推动高速光互连需求增长外延片市场同步扩容
随着AI 数据中心 对传输带宽的要求急剧提升,光互连方案正持续向更高速率演进。在高速光通信领域,当前的三条主流技术路径为VCSEL、EML和硅光方案,VCSEL适配短距传输,EML专注中长距高速,硅光方案采用CW光源并适配共封装光学架构。
外延片处于光芯片制造的前道环节,是制备激光器、探测器等器件的基础材料。通过在衬底上生长具有特定组分和结构的晶体层,外延工艺赋予材料相应的光电特性,其生长质量也会影响下游器件的性能及制造良率。
当前,这一传导趋势正在加速。LightCounting在2026年5月发布的报告中指出,近封装光学与共封装光学的部署,正在加快硅光技术的采用,并直接推动了磷化铟连续波激光器的需求增长。处于产业链上游的磷化铟基外延片,正迎来明确的需求增量。
从竞争格局看,外延片环节长期由英国IQE等主导。其中,IQE正通过与下游客户合作,拓展面向AI 数据中心 的磷化铟外延片业务。2026年6月,其宣布与Tower Semiconductor签署多年期磷化铟外延片供应协议,面向AI 数据中心 光连接应用,合作涉及用于可插拔收发模块的单通道200Gb/s技术,以及下一代单通道400Gb/s调制器原型开发。
大陆厂商方面,其中,全磊光电官网显示,其数据中心外延片覆盖磷化铟基的DFB、EML及硅光外延片,以及GaAs基的VCSEL和光探测器外延片,速率覆盖25G至50G以上,面向100G/400G/800G光模块及数据中心短距传输场景,与华兴光电在部分产品方向上存在重叠。资本化方面,全磊光电被列入2025年度厦门市重点上市后备企业新增名单。
与此同时,产业链中还存在具备自主外延制造能力的IDM企业,已在科创板上市的 源杰科技 在2026年半年报中提到,其已建立覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的全流程业务体系,70毫瓦、100毫瓦CW激光器芯片及100G EML产品已批量出货。
市场规模方面,Yole Group在2026年2月发布的报告中指出,开放式外延片市场预计从2025年的11亿美元增长至2031年的23.9亿美元;化合物半导体衬底与开放式外延片合计市场将以约14%CAGR,在2031年达到接近52亿美元的规模。
(文章来源:科创板日报)
主题:基金