EMIB+玻璃基板+金刚石陈立武谈英特尔芯片业务：在材料层面寻求突破
EMIB+玻璃基板+金刚石 陈立武谈英特尔芯片业务：在材料层面寻求突破
2026年06月19日 16:58
作者：
科创板日报 张真
当地时间6月18日， 英特尔 股价上涨10.64%，再度刷新 历史新高 ，总市值达6734亿美元。年初至今近半年时间， 英特尔 已累计涨超263%。
消息面上，美国总统特朗普在其社交媒体平台Truth Social上发文称， 苹果 公司已同意与 英特尔 合作，在美国本土设计并制造其芯片。
无独有偶，No Priors播客在近日发布了一期与英特尔现任CEO陈立武的对话。其谈及代工业务时表示，美国本土先进制造对于供应链安全具有战略价值，任何大型 半导体 企业都不能将供应链高度集中于一两个地理区域。
关于英特尔的芯片业务，陈立武在访谈期间分享了诸多看法。
陈立武坦言，英特尔最先进工艺18A已达到1.4纳米级别，目前正在规划1纳米、0.7纳米。随着工艺节点越来越小，这条道路会越来越昂贵、越来越困难。“ 另一个正在成为瓶颈的关键领域是 先进封装 。 我们有一个叫做EMIB的下一代方案，我必须确保它能在量产阶段达到客户要求的良率。”他补充道。
在芯片工艺演进遭遇瓶颈之际，英特尔或从材料端寻找全新突破口。
陈立武表示：“当传统微缩技术开始遭遇瓶颈时，我便着手从材料层面寻找突破方向。” 他在 氮化镓 （GaN）、 碳化硅 （SiC）、磷化铟（InP）三大领域均有布局， 其中部分投资标的已被ADI等大型 半导体 企业收购。此外，他还投资了一家人造金刚石晶圆公司，看好钻石作为散热材料在芯片封装领域的应用潜力。
在封装材料领域，陈立武指出，英特尔投资了 玻璃基板 公司3DGS，看中玻璃作为散热绝缘材料的独特性能；在芯片间互连方面，英特尔正主推下一代 先进封装 技术EMIB，并已宣布在印度和美国新墨西哥州推进 先进封装 制造合作项目。
在此之前，英特尔与SK海力士合作开展2.5D封装技术的研究与开发，双方拟将HBM和系统 半导体 与EMIB嵌入式基板结合使用。
据业界消息，英特尔目前正面向全球供应链合作伙伴推进大规模材料采购订单，多项供应合同已签订完成。一位熟悉内情的业内人士表示：“英特尔目前在推进EMIB技术升级，包括在桥接结构中引入硅通孔（TSV）技术的EMIB-T，以及融合 玻璃基板 的封装方案。 ”
值得一提的是，英特尔近日在其新闻中心宣布，已任命SK海力士前CEO李锡熙为英特尔晶圆代工事业部执行副总裁。其将致力于推动先进封装技术的量产，包括嵌入式多芯片互连桥（EMIB-T）等2.5D封装技术以及下一代3D工艺高密度混合键合（HBI）技术。
谈及英特尔的十年愿景，陈立武表示：“英特尔的体量大，难以复制，但我的目标是10倍，在5到10年内实现10倍回报。”
（文章来源：科创板日报）