总投资349亿元！长鑫科技加码研发与封测产能完善DRAM产业IDM布局
总投资349亿元！长鑫科技加码研发与封测产能 完善DRAM产业IDM布局
2026年09月28日 23:53
9月28日晚间，A股 存储芯片 龙头 长鑫科技 （688825.SH）发布公告，公司拟合计投入349亿元推进两大重点项目建设，分别为高端技术研发项目与存储器晶圆后道测试基地二期项目，持续加码核心技术迭代与自有产能配套，进一步夯实DRAM芯片产业核心竞争力。
根据公告， 长鑫科技 拟使用130亿元超募资金新建技术研发项目，该项目规划总投资241亿元，建设周期为30个月，聚焦DRAM制程工艺迭代、产品性能升级等核心技术攻关，持续推动 存储芯片 在存储密度、功耗控制、读写性能等关键指标实现突破。同时，公司拟通过增资及借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供50亿元超募资金，用于投建存储器晶圆后道测试基地二期项目，该项目总投资108亿元，将新建专业测试工厂，主要为DRAM 存储芯片 提供晶圆测试、模组组装等核心配套服务。
谈及项目建设初衷， 长鑫科技 表示，持续的技术迭代与自主产能配套是企业立足复杂产业格局、筑牢长期发展根基的核心。当前随着公司DRAM产能持续释放、产品矩阵不断丰富，外部封测产能不足、配套资源受限的问题逐步凸显，一定程度上制约产能释放。此次布局自建后道测试产能，可有效破解产能瓶颈，保障供应链自主可控，同时灵活调配测试产能、降低芯片测试成本、提升整体运营效率与测试技术水平，进一步完善公司IDM全产业链运营模式，强化 综合 竞争实力与市场抗风险能力。
据了解，长鑫科技近期技术成果持续落地，产业化能力稳居行业第一梯队。今年9月，公司第五代DRAM工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，跻身全球顶尖量产制程行列；通过工艺革新与 新材料 应用，实现45:1的存储电容深宽比，创新研发的HKMG高介电常数金属栅工艺，将核心功能区高度缩减至6762纳米，大幅优化芯片性能与集成度。
终端产品落地同样取得重大突破，今年8月，长鑫科技自主研发的新一代低功耗内存LPDDR6成功实现全球首次商用量产，首批产品搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。该芯片通过架构创新与数据传输优化，峰值传输速率可达12800Mbps，最高容量16GB，相较上一代LPDDR5X产品实现全方位性能跃升，树立行业低功耗内存新标杆。
二级市场方面，截至9月28日收盘，长鑫科技股价收跌4.27%，最新总市值达3.65万亿元，持续稳居A股市值榜首。业内分析，此次百亿级重磅项目落地，将为公司技术创新、产能扩容、产业链自主化发展注入强劲动能，助力公司持续巩固全球DRAM存储芯片领域的技术与市场优势。
（文章来源：广州日报）