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器件


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结温

但如果器件结温已经在最高结温边缘反复试探,尽管器件电流超出IDM的时长也比较短,但累积的热量仍然使得结温超出Tvj,max,这种情况依然是不被允许的。
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电流

如果器件电流只是短暂超出IDM(小于1us,如500ns),但结温仍然低于Tvj,max,这时器件仍然是安全的。
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热阻

总结一下,SiCMOSFET额定电流IDDC是基于器件热阻、导通压降及结温限制的计算值,和实际开关工况下的工作电流有较大差别。
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