联发科首次确认了推进英特尔EMIB-T AI ASIC双重策略
随着 AI 数据中心对高性能计算需求的持续增长，先进封装已成为 AI 芯片竞争中的关键组成部分。 联发科 （2454）在最新财报电话会议上首次明确披露，在其 AI ASIC （定制芯片）项目中，除了采用台积电的CoWoS封装外，还引入了 英特尔 EMIB-T 先进封装技术，标志着公司多元化封装战略，以满足不同客户大型AI芯片的设计需求。
联发科 首席执行官蔡志明表示，近年来公司积极进军AI数据中心市场，已成为众多数据中心客户的重要合作伙伴。 除了不断深化与台积电的设计合作优化外， 联发科 还与主要先进封装合作伙伴保持密切合作。通过结合先进的2nm工艺设计经验和大规模芯片架构能力，联发科利用CoWoS和 EMIB-T 封装技术，帮助客户开发超大型高性能 ASIC 产品，以支持AI基础设施快速增长的需求。
事实上，联发科在今年四月底的财报电话会议上透露，公司正同时投资两种不同的先进封装技术，主要考虑对AI基础设施快速增长的需求。封装已不再只是制造过程的一部分，而是影响整体系统性能的关键技术。因此，联发科希望通过不同的包装解决方案满足不同客户的成本、性能和产品设计需求。 然而，当时公司尚未明确第二种封装技术的合作伙伴;直到这次财报电话会议上，才正式确认其为 英特尔 EMIB-T 。
EMIB-T 是 英特尔 EMIB（嵌入式多芯片互连桥）2.5D 封装平台的最新版本。其核心技术是通过小型硅桥连接多芯片，取代传统的大面积硅中介体。这降低了封装成本，同时保持高带宽、高密度互连能力，并支持 HBM 高带宽内存集成。
与现有EMIB架构相比，EMIB-T进一步采用了TSV（通过硅片）技术，提升了功率和信号传输效率，并在不同封装架构之间提供了更大的设计灵活性，便于大型AI芯片和芯片组架构的集成。 根据英特尔公开数据，EMIB-T支持芯片集成能力，掩罩尺寸约为8至10倍，提升封装密度和计算性能，同时平衡成本。因此，它被视为AI数据中心芯片的关键封装技术之一。
过去，先进的AI芯片封装主要由CoWoS主导，但随着AI ASIC 向超大芯片（如Reticle尺寸甚至Beyond Reticle）发展，单封装技术已无法完全满足市场需求。 联发科同时采用CoWoS和EMIB-T，体现了公司多元化的封装战略，旨在提升ASIC产品设计灵活性，减少对单一供应链的依赖。未来，将根据不同客户需求实现成本、性能和量产能力的最佳平衡。