导通损耗

更低的RDSon，SiCJFET导电通道比SiCMOSFET单元结构的界面通道宽得多，且沟道载流子迁移率远高于SiCMOSFET的沟道，显著降低了导通电阻的沟道电阻部分，因此单位面积可实现更低的RDSon，使得在许多大电流的应用中可以使用SiCJFET器件降低导通损耗。