不急着上4 F 2！SK海力士亮出DRAM底牌：用EUV光刻机给6 F 2续命
速读：其CTO德博尔表示，研究4F²超过20年，工艺复杂度与制造成本的上升抵消了密度收益，因此美光选择跳过4F²，直接聚焦6F²优化与3DDRAM。
快科技10月28日消息， SK海力士在2026年第三季度财报电话会上明确表态，现阶段的首要任务是最大化现有6F² DRAM架构的潜力，而非急于转向4F²。这与美光此前“4F²不在路线图上”的明确拒绝形成了策略上的分野。
SK海力士DRAM营销负责人朴俊德指出， 公司已经通过EUV光刻与工艺创新，为6F²平台争取到了进一步微缩的技术空间。 在量产稳定性和成本竞争力均已验证的前提下，继续深耕6F²是当前最有效率的选择。
但这不等于SK海力士放弃了下一代架构。该公司明确表示，4F²与3D DRAM的阶梯式技术路线图仍在推进，将根据各项技术的成熟度与经济性，在合适的时机导入对应产品。
从技术指标看，4F²将单元面积从6F²的3F*2F压缩至2F*2F，理论面积缩减约33%，密度增益显著。但SK海力士强调，新架构从技术实现到商业落地之间存在巨大鸿沟，性能之外还需跨过良率、可靠性、成本与客户验证等多重门槛。
美光的立场恰好印证了这种谨慎。其CTO德博尔表示，研究4F²超过20年，工艺复杂度与制造成本的上升抵消了密度收益，因此美光选择跳过4F²，直接聚焦6F²优化与3D DRAM。
对于SK海力士而言，EUV延寿6F²与同步开发4F²、3D DRAM的两手策略，本质上是在用成熟工艺的现金流为下一代技术争取时间。技术路线上的分歧，最终将由量产成本与市场节奏来裁决。