详解Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法

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2026年07月27日 15:06

共源共栅碳化硅结型场效应晶体管兼具高耐压、低导通损耗、开关速度快及栅极电荷低（0−12 V 栅极驱动）等优势，在 LLC 谐振变换器中极具应用潜力。然而，其关断时较高的电压变化率（dv/dt）易激发持续振铃，导致电压过冲、电磁干扰（EMI），极端情况下甚至引发振荡。尤其在高于谐振频率的工况下，初级侧开关电流往往较大（例如 750 V 器件可达 30 A 以上），该问题更为突出。

本手册为 C JFET 用于高频零电压开关（ZVS）应用提供了系统级设计指导。上一篇推文介绍了