英伟达寻求破解存储瓶颈台积电据悉考虑布局3 D DRAM
英伟达寻求破解存储瓶颈 台积电据悉考虑布局3D DRAM
2026年11月07日 01:28
财联社11月7日讯（编辑牛占林） AI算力需求持续爆发， 存储芯片 供应紧张正成为制约 人工智能 基础设施扩张的重要瓶颈，全球最大芯片代工厂 台积电 也开始考虑向存储制造领域延伸。
据媒体周五报道， 台积电 近期开始制定先进 存储芯片 生产计划，考虑制造一种名为3D DRAM的新型 存储芯片 。这一计划据称是应其最大客户 英伟达 的要求而启动的，旨在扩大 台积电 在AI硬件供应链中的业务份额。
知情人士称，台积电正在评估新建工厂或收购现有 半导体 工厂并改造为存储芯片生产设施两种方案，目前尚未明确量产时间。该项目由负责台积电 先进封装 业务的副总裁徐国晋牵头。
长期以来，台积电主要为 英伟达 、 苹果 等客户代工逻辑芯片，并通过CoWoS等 先进封装 技术，将GPU等 AI芯片 与高带宽存储器(HBM)集成在同一封装中，以提升数据传输效率。存储芯片制造则主要由三星 电子 、 SK海力士 和 美光科技 主导。
此次台积电考虑布局的3D DRAM，通过垂直堆叠存储单元提高存储密度，有望成为下一代DRAM技术的发展方向。
如果计划落地，台积电将从芯片代工和 先进封装 进一步延伸至存储制造，直接参与AI硬件供应链中日益重要的存储环节。
AI需求激增加剧存储供应紧张
台积电考虑跨界布局的背后，是AI产业扩张带来的存储芯片供需失衡。随着 英伟达 等厂商不断推出更强大的AI加速器， 数据中心 对HBM和服务器DRAM的需求快速增长。由于HBM生产需要占用大量先进DRAM产能，存储厂商纷纷将资源向高附加值产品倾斜，进一步加剧供应紧张。
在存储价格上涨、供应受限的背景下，英伟达等大型芯片买家正积极寻找额外供应渠道。若台积电进入先进存储制造领域，将有望增加供应来源，缓解对现有存储厂商的依赖。
存储制造商也在加快扩产。美光今年3月宣布以18亿美元收购力积电的一座工厂，计划将其改造为DRAM生产设施，预计2027年下半年开始形成有意义的晶圆产出。
不过，台积电进入存储市场并非没有挑战。三星 电子 、 SK海力士 和美光在DRAM领域拥有成熟的生产体系和规模优势，台积电若决定入局，将直接面对这些长期占据市场主导地位的竞争对手。
此外，存储芯片行业具有明显的周期性特征，价格上涨往往刺激厂商扩产，随后可能引发供应过剩。台积电需要权衡AI需求增长的持续性，以及大规模资本投入可能带来的风险。
（文章来源：财联社）