Littelfuse推出用于汽车电源保护的高压TPSMC、TPSMD、TP 5.0 SMDJ瞬态抑制二极管
为安全高效的电能传输提供先进解决方案的领导企业
公司 （NASDAQ：LFUS），今天宣布推出 TPSMC, TPSMD 及 TP5.0SMDJ 高压瞬态电压抑制（TVS）二极管系列，通过专为汽车高压电力电子应用设计的器件（包括电池断路装置（BDU）、高压HVAC系统和正温度系数（PTC）加热器）扩展了TP系列产品组合。
随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移，GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压TVS解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护，从而增加了PCB面积、复杂性和物料清单（BOM）成本。
新型TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ 高压瞬态抑制二极管 通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压（高达400 V）和高峰值脉冲功率来应对这一挑战，使工程师能够简化保护方案，同时提高系统效率和耐用性。
主要功能与特色
· 高断态电压（≥400 V）可为高压汽车电路提供单设备保护
· 峰值浪涌电流高达 300 A，峰值脉冲功率高达 5 kW，可支持恶劣的瞬态条件
· 快速响应时间（通常<1 ps）可实现有效的瞬态箝位
· 符合AEC-Q101标准，符合PPAP标准，可满足汽车可靠性要求
· DO-214AB（SMC）表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局
· 符合IEC-61000-4-2 ESD标准（最高30 kV），提供强大的系统级保护
· 与多设备保护方法相比，降低了BOM成本并减少了组件数量
专为高压汽车电源系统而设计
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管，使设计人员能够：
· 减少串联所需的TVS器件数量
· 优化低额定值GaN/SiC MOSFET或IGBT的选择，以减少传导损耗
· 在降低成本的同时提高整体系统效率
“这些 高压瞬态抑制二极管 专为下一代汽车电源架构而开发，” Littelfuse 产品营销总监Charlie Cai表示。“通过在BDU、HVAC和PTC应用中启用单器件瞬态保护，我们的客户可以简化设计、降低BOM成本，甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”
TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ系列概述
主题：器件