投资超40亿美元！SK海力士美国HBM工厂奠基：2029年量产美制HBM

快科技8月28日消息，SK海力士宣布，当地时间8月27日在美国印第安纳州西拉斐特举行AI存储器先进封装生产基地奠基仪式。

这是SK海力士在美国的首个HBM生产据点，印第安纳州州长、参议员、普渡大学校长以及SK海力士CEO郭鲁正等高管出席本次活动。

SK海力士CEO郭鲁正

该项目总投资超过40亿美元，工厂无尘室计划2028年10月建设完工，2029年下半年实现新一代HBM产品量产，全面投用之后基地直接员工规模将达到1000人以上。

生产模式采用韩美联动，芯片晶圆在韩国完成制造，运抵美国工厂完成先进封装与测试，产出“美国制造”HBM，直接供给美国本土客户。

基地还同步建设先进封装研发测试平台，方便联合客户、合作伙伴完成新技术原型试制与性能验证。

产业链生态方面，目前已有超过100家材料、零部件、设备合作伙伴洽谈入驻园区，项目落地预计合计创造7000个直接与间接就业岗位，夯实美国本地AI存储产业链。

奠基仪式现场，SK海力士与普渡大学签署研发合作谅解备忘录，双方将联合攻关HBM以及下一代系统集成、先进封装技术，后续还会扩大和美国中西部高校合作，挖掘半导体专业人才。

SK海力士CEO郭鲁正表示，希望在美国汇聚客户、研发资源与产业生态，成为最值得信赖的半导体合作伙伴。

HBM作为AI算力的核心存储组件，海外本土封装基地建成，将进一步完善SK海力士面向北美AI市场的供货能力。

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