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4FDRAM架构取得进展专利数量超过海外厂商年底将推出相关技术产品长鑫科技官宣!
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长鑫科技官宣!
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长鑫科技降低公司DRAM芯片测试成本
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9月28日,长鑫科技接连宣布合计达349亿元的研发及扩产项目,其中技术研发项目的规划总投资金额为241亿元,后道测试基地二期项目的规划总投资额为108亿元,计划建设一座测试工厂,为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。
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今年8月,长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产,并将首批搭载于小米18Fold折叠旗舰手机。
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