不玩EUV了佳能推出高性能KrF光刻机：套刻精度可达4 nm
快科技11月8日消息，EUV光刻机是7nm以下先进工艺生产的不可少的关键设备，全球只有ASML能量产，日本佳能公司另辟蹊径，推出了一款高性能KrF光刻机，套刻精度也达到了4nm。
佳能公司宣布，将于2026年12月份上市面向存储和逻辑芯片的KrF扫描式半导体光刻机FPA-6400ES6a， 产能达到了400片晶圆/小时，套刻精度4nm也做到了业界高水平。
在对准系统中佳能还加入了可选配的新光源Hi-ALS（High Alignment Light Source），可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，因此能在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。
另一个关键指标上， 这台光刻机还大幅改善了曝光时的翘曲，对应的翘曲量扩大到700μm， 强化了对三维器件的堆叠及晶圆键合工艺中产生的晶圆翘曲的应对能力。
此外，佳能还改进了电力控制技术，提升电源效率降低电力损耗，并简化冷却机构，降低了每片晶圆曝光所需的耗电量，同时兼顾了环境保护。
KrF光刻机指的是248mm波长的氟化氪这一代的，跟193nm波长的DUV光刻机不能比， 更不能跟13.5nm波长的EUV光刻机相比了， 因此这台光刻机并不是用于先进工艺生产的，至少不是主设备。
它更像是对标ASML的NXT:870B光刻机，400晶圆/小时的产能及4nm套刻精度是一样的，但后者的翘曲控制能力没有公布，这方面应该是佳能占优一些。
这种光刻机虽然不能生产出7nm、5nm、3nm之类的芯片，但它适合3D芯片堆叠、晶圆键合等工艺场景，也是目前不可缺少的半导体设备，未来市场需求还是很高的，佳能在这些市场上依然有竞争力。
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