氧空位

与此同时，论文提出，Cr相关受主与氧空位形成的缺陷偶极子能够限制氧空位的长程迁移，有助于高温绝缘性能和热处理后极化状态的保持。

论文提出，受主与残余氧空位形成缺陷偶极子，有助于限制氧空位的长程迁移；

图4畴结构演化与缺陷工程机制：(a)CaBi4Ti4O15和CaBi4Ti3.96(Cr1/3Ta2/3)0.04O15样品的PFM振幅和相位图像，(b)氧空位调控与畴结构优化如何提升压电性能的示意图。

已有共掺杂研究改善了CBT的性能，但通过施主–受主非等价共掺杂协同调控氧空位行为与畴结构，以及阐明两者与压电性能之间的关联，仍值得深入研究。

这些结果表明，通过有目的的缺陷工程可有效调控氧空位行为与畴结构，从而在BLSFs陶瓷中实现压电性能与高温电学性能的平衡。

该缺陷工程方法旨在通过施主掺杂降低氧空位浓度，同时利用受主与氧空位的缔合形成缺陷偶极子，从而协同调控氧空位的浓度与迁移行为。

(1)施主–受主非等价共掺杂协同调控：在CaBi4Ti4O15体系中采用Ta5+（施主）和Cr3+（受主）共掺杂，在适度掺杂时降低氧空位相关缺陷水平。

论文认为，这与氧空位浓度和迁移能力降低、畴取向退化受到抑制有关。

适度掺杂降低氧空位相关缺陷水平，减弱畴壁钉扎，并结合畴结构和晶粒形貌的变化促进畴响应。

研究结果支持这一策略能够减轻氧空位相关缺陷对畴壁运动的钉扎，并抑制高温下与氧空位迁移有关的导电行为。