英飞凌扩展CoolSiC JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件
【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】 英飞凌 科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正持续扩展其 CoolSiC ™ JFET 产品组合，以满足AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上， 英飞凌 为 CoolSiC ™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出的首批采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC ™ JFET 器件现已进入量产阶段。在 PCIM Europe 2026 ， 英飞凌 还将展出更多的封装选项以及常关型（normally-off）CoolSiC™ JFET器件，进一步巩固和增强其分立器件产品组合，以满足固态断路器（SSCB）、电池开关以及 AI 数据中心供配电架构等应用需求，涵盖电源单元（PSU）、备电单元（PBU），以及中间总线转换器（IBC）热插拔和 eFuse 设计
采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。另外，英飞凌还推出了采用业内广泛使用的 TO-247-4 封装的 1200 V CoolSiC JFET器件。
在上述应用中，功率半导体器件通常处于导通状态，故障等意外情况发生频率低且持续时间短。因此，导通损耗、线性模型鲁棒性以及雪崩能力成为工程师关注的关键设计参数。为了满足上述需求，英飞凌推出了采用业内广泛使用的 TO-247-4 封装的 1200 V CoolSiC JFET器件。该器件的导通电阻（RDS(on)）最低可至 5.0 mΩ，能够在无需重新设计 PCB 的情况下，直接替换采用标准通孔封装的现有SiC MOSFET 设计。此外，英飞凌还通过新增常关型（normally-off）CoolSiC JFET 器件配置，将 CoolSiC JFET 器件与英飞凌的OptiMOS™ 低压Si MOSFET 集成在单个封装中，进一步扩展了CoolSiC JFET的产品组合：
· 双路驱动（Dual Drive ）配置可分别接入SiC JFET 和 Si MOSFET 的栅极，从而在整个PCB 层面实现全面控制并提高设计灵活性。该配置还支持在 VGS = 2 V 的条件下过驱（overdrive）运行，可将导通电阻（RDS(on)）降低约 10%。其中，750 V 的产品型号提供 TOLL封装 和 Q-DPAK 封装两个封装选项，而 1200 V 的产品型号则采用 Q-DPAK 封装。
· 共源共栅（Cascode）配置在器件内部集成了 SiC JFET 的栅极，但仅对外引出 MOSFET 的栅极。这使其能够与标准栅极驱动配合，实现简单的即插即用操作，无需专用电路。该配置适用于对开关损耗和导通损耗要求都较为严格的应用场景。750 V 的产品型号采用 TOLL 封装。
英飞凌还通过新增常关型 CoolSiC JFET 器件配置，将 CoolSiC JFET 器件与英飞凌的OptiMOS™ 低压Si MOSFET 集成在单个封装中，进一步扩展了CoolSiC JFET的产品组合